RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
58
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3707
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link