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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,241.0
17.8
写入速度,GB/s
1,950.7
15.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3707
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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