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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
117
左右 -277% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
31
读取速度,GB/s
3,094.8
18.4
写入速度,GB/s
2,303.7
15.1
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
3560
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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