RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
62
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
62
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2138
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link