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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
58
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2457
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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