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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
58
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2596
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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