Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.2

Среднее значение в тестах

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 58

Около -123% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.1 1,950.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 14.2
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 2596

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

модули RAM

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB

Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Kingston 9905630-025.A00G 8GB

Kingston 9905630-025.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

модули RAM