Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.2

Среднее значение в тестах

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 58

Около -123% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.1 1,950.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 14.2
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 2596

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Kingston 9905702-119.A00G 8GB

Kingston 9905702-119.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

Kingston 9905678-105.A00G 8GB

Kingston 9905678-105.A00G 8GB

модули RAM