RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905630-033.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1956
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link