RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
5.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1956
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link