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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3233
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
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