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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
58
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3233
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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