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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
58
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
57
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2213
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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