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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
58
Autour de -2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
57
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2213
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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