RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
58
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2891
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link