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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,241.0
13.5
写入速度,GB/s
1,950.7
11.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2891
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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