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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
15.6
13.8
写入速度,GB/s
11.8
11.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2550
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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