RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2550
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link