RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2298
2389
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link