RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2298
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link