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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
13.8
19.9
写入速度,GB/s
8.2
13.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3271
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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