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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
78
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
78
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2113
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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