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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
58
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
1927
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
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