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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.0
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
1890
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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