RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
1890
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Inmos + 256MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link