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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
65
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
65
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1798
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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