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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
65
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
65
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
9.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1798
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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