Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Puntuación global

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 46

En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

14.8 1,519.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 3200

En 5.31 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

241 3564

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns