RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 18.1
    Среднее значение в тестах
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 46
    Около -64% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    14.8 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 3200
    Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 14.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 3564

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
модули RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
модули RAM