RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link