RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link