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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3422
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-011.A00LF 4GB
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