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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4032
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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