RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
4032
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link