RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2991
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link