RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3638
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link