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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
56
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2474
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
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