RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
56
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2474
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link