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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4110
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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