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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
46
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3542
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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