RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3542
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KHX16 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link