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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2918
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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