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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
2,909.8
15.2
写入速度,GB/s
1,519.2
10.7
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2918
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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