RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3120
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link