RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3120
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link