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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3490
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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