RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3490
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link