RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3091
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link