RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3042
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link