RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3042
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link