Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 39
    Intorno -5% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.3 left arrow 14.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.9 left arrow 10.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 17000
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.1 left arrow 15.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.7 left arrow 12.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2183 left arrow 2973
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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